In this paper, the impacts of ionizing radiation on the gate induced floating body effects (GIFEBs) and low-frequency (L......

波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片, 并且......

本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 ......

绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO2/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层......

报道了一种在Si+/Ni+离子共注入绝缘体上硅(SOI)基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法.通过时域有限......

本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅（SOI）器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影......

SOI技术作为21世纪的硅集成技术，越来越受到人们的关注。文章从寄生电容、闭锁效应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详......

采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜，原子力显微镜（AFM）显示其表面平整光滑，均方根粗糙度（RMS）为0.13nm，满足直接......