Silicononinsulator相关论文
Total dose radiation induced changes of the floating body effects in the partially depleted SOI nMOS
In this paper, the impacts of ionizing radiation on the gate induced floating body effects (GIFEBs) and low-frequency (L......
波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片, 并且......
本文分析了SIMOX/SOI和DWB/SOI结构的性能特点.尝试用DWB/SOI材料制备不同波导层厚度的平面光波导样品,并测试了1.15 μm和1.523 ......
绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO2/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层......
报道了一种在Si+/Ni+离子共注入绝缘体上硅(SOI)基片上直接构筑纳米盘阵列光子晶体以实现SOI光致发光有效增强的方法.通过时域有限......
本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅(SOI)器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影......
SOI技术作为21世纪的硅集成技术,越来越受到人们的关注。文章从寄生电容、闭锁效应、热载流子效应、体效应及辐射效应等几个方面详......
采用离子束增强沉积技术在100mm硅片上制备大面积均匀AIN薄膜,原子力显微镜(AFM)显示其表面平整光滑,均方根粗糙度(RMS)为0.13nm,满足直接......